Construção de um transistor

A seguir estão algumas técnicas de fabricação usadas na construção de um transistor -

Tipo de Difusão

Neste método, o wafer de semicondutor é submetido a alguma difusão gasosa de impurezas do tipo N e do tipo P para formar junções de emissor e coletor. Primeiro, a junção base-coletor é determinada e fotocondicionada logo antes da difusão da base. Posteriormente, o emissor é difundido na base. Os transistores fabricados por esta técnica têm uma melhor figura de ruído e melhora no ganho de corrente também é vista.

Tipo Crescido

É formado pela extração de um único cristal de silício ou germânio derretido. A concentração necessária de impureza é adicionada durante a operação de extração do cristal.

Tipo Epitaxial

Uma camada de cristal único fina e de altíssima pureza de silício ou germânio é cultivada em um substrato fortemente dopado do mesmo tipo. Esta versão melhorada do cristal forma o coletor no qual as junções do emissor e da base são formadas.

Tipo Liga

Neste método, a seção de base é feita de uma fatia fina de material tipo N. Nos lados opostos da fatia, dois pequenos pontos de índio são fixados e a formação completa é mantida em alta temperatura por menos tempo. A temperatura estaria acima da temperatura de fusão do índio e abaixo do germânio. Esta técnica também é conhecida como construção fundida.

Tipo de ataque eletroquímico

Neste método, nos lados opostos de uma pastilha semicondutora, a depressão é gravada a fim de reduzir a largura da região de base. Em seguida, um metal adequado é galvanizado na área das depressões para formar as junções do emissor e do coletor.